AKSARAY ÜNİVERSİTESİ
SOSYAL
BİLİMLER MESLEK YÜKSEKOKULU
ÖGRENCİNİN
ADI: ALİ DOĞAN
SOYADI: BERK
NUMARA: 140658042
SINIFI: 2
BÖLÜM: BÜRO YÖNETİMİ VE YÖNETİCİ ASİSTANLIĞI
KONU: NANO TEKNOLOJİ
NANO TEKNOLOJİ
Nano teknoloji, milyarda bir
birimde atomlar ve moleküller seviyesinde (1 ila 100 nm aralığında) çalışarak,
geliştirilmiş ve/veya tamamen yeni fiziksel, kimyasal, biyolojik özelliklere
sahip yapıların ortaya çıkarılmasıdır. Genelde malzeme özellikleri ve
cihazların çalışma prensipleri geleneksel modelleme ve teorilere (100 nm'den
büyük boyutlar temelindeki varsayımlar) dayanmaktadır. Ancak boyutlar 100
nm’nin altına indirildiğinde ise geleneksel teori ve modeller, ortaya çıkan
özellikleri açıklamakta yetersiz kalmaktadır.
Nano malzemeler aynı
malzemelerin büyük parçacıkları ile karşılaştırıldığında boyuta bağlı olarak
üstün ve yeni özellikler sergilemektedir. Yeryüzünde fotokimyasal ürünler,
volkanik ürünler ve egzoz dumanları gibi doğal olarak çok geniş bir yelpazede
nano malzemeler veya parçacıklar bulunabilmektedir [1-5]. Nano teknoloji daha
sağlam, daha kaliteli, daha uzun ömürlü, daha ucuz, daha hafif ve daha küçük
cihazlar geliştirmektedir. Minyatürleşme olarak tanımlanabilecek bu eğilim,
birçok mühendislik çalışmasının temelini oluşturmaktadır. Minyatürleşme
üretimde daha az malzeme, daha az enerji, daha ucuz ve kolay nakliye, daha çok
fonksiyon ve kullanımda kolaylık olarak uygulamada kendini göstermektedir
[3-7].
Öte yandan nano bilimin ve nano
teknolojinin gelişmesine nano ölçekte ölçme ve inceleme yapabilen mikroskoplar
ve bu boyutlarda işlemler yapabilmek için oluşturulan yöntemler önemli etki
yapmıştır. Bunlar; Saçılma Yöntemleri, Taramalı Elektron Mikroskobu, Geçirimli
Elektron Mikroskobu, Taramalı Sonda Mikroskobu, Taramalı Tünel Mikroskobu,
Atomik Kuvvet Mikroskobu, Yakın Alan Taramalı Optik Mikroskop gibi yöntemlerdir
[8].
Boyutları 1-100 nm aralığında
olan tozlar veya parçacıklar olarak belirtilen nano parçacıklar nano boyutlu malzemelerin ve nano teknolojinin
temelini oluşturmaktadır [7]. Nano parçacıklar, sistemlerin fonksiyonelliğinde
büyük bir gelişim sağlayan yeni nesil nano teknoloji ürünü malzemelerdir. Nano
parçacıkların boyutları çok küçük olduğundan dolayı malzemelerin hacimsel
yapılarına kıyasla dikkate değer ve bazı koşulların sağlanmasıyla üstün
özellikler göstermektedirler.
Örneğin nano yapının
iletkenliği, o yapıya tek bir atom eklense bile değişebilmektedir. Benzer
şekilde, nano ölçeklerde atomlar arası bağ yapısı da değişikliğe
uğrayabilmekte; mekanik olarak malzeme güçlenirken ya da zayıflarken, elektronik
olarak iletkenlik özelliği tümüyle değişebilmektedir. Yine yarıiletken olarak
bilinen ve çağımızın en önemli malzemelerinden olan silisyumdan yapılan bir
telin çapı nanometreye yaklaşırken tel iletken bir karakter sergilemeye
başlamaktadır.
Nano parçacıkların
özelliklerinin bu denli üstün olmasında onların boyutlarının yanı sıra kontrol
edilebilen şekillerinin ve morfolojilerinin de etkisi vardır. Kimyasal ajanlar
olarak bilinen yüzey aktif maddelerin kullanılmasıyla yüzey ve ara yüzey
özellikleri geliştirilebilir.
2. ÜRETİM YÖNTEMLERİ
Nano malzeme ve yapı
üretilmesinde yukardan-aşağıya ve aşağıdan-yukarıya üretim olarak iki genel
yaklaşım vardır [5,13-19]. Yukardan aşağıya olarak isimlendirilen ilk
yaklaşımda bütün halindeki malzeme ile işleme başlanır ve malzeme küçük
parçalara ayrılır. Bu ana yaklaşımda özel işleme ve kimyasal aşındırma
teknikleriyle litografi, son derece kusursuz yüzey şekillendirmeyle,
mikroskobik elementlerin yapısal boyutları nanometre ölçeğine indirilir.
Aşağıdan-yukarıya üretim yaklaşımında ise malzeme, atomların ve molekülerin
kimyasal reaksiyonlarla boyutça büyümesi sonucu sentezlenerek elde edilir.
Atomik ve moleküler elemanlar daha büyük sistemler, kümeler, organik örgüler,
çok moleküllü yapılar ve sentezlenmiş makro-moleküller oluşturacak şekilde
kontrollü olarak bir arada toplanması sağlanır.
2.1. Yukarıdan Aşağıya
Yaklaşımı
Yukarıdan-aşağıya yaklaşımı,
makineler, asitler ve benzeri mekanik ve kimyasal yöntemler kullanılarak nano
yapıların fabrikasyonu ve imal edilmesi yöntemlerini ifade eder. Hacimsel
malzemelerden nano parçacık üretirken birçok yöntemden faydalanılır. Bu
yaklaşımdaki yöntemler yüksek enerjili bilyeli öğütme, mekano-kimyasal
işlemler, dağlama, elektro patlatma, sonikasyon, püskürtme ve lazer ablasyonu, litografi
(baskı), kimyasal, ısıl ve doğal yöntemleridir [8, 75]. Bu tekniklerde kütlesel
malzeme ele alınır, ardından şekillendirilerek, yapısı oluşturularak ve yeniden
düzenlenerek istenilen ürüne dönüştürülür. Daha küçük yapılar üretilme talebi
temel olarak, gelecek nesil bileşenlerde nano elektronik alanında cihazlar
yapmak için çeşitli μm teknoloji işlemlerinin geliştirildiği mikro elektronik
alanına uyabilmektir. Bir diğer önemli yukardan-aşağıya üretim yaklaşımı,
özellikle de optik alanına yönelik, mekanik ya da plazma işlemiyle
gerçekleştirilen son derece hassas bileşenlerin yüzey şekillendirilmesidir.
Litografi, nano bileşenlerde çok küçük parça boyutlar elde etmek için
kullanılan anahtar teknolojidir. Farklı fiziksel ilkelere dayalı olan ve
çözünürlük, hız, kalıptan çıkarma ve transfer adımlarıyla ilgili olarak, farklı
özellikleri olan çeşitli litografi metotları bulunmaktadır. Bunlara örnek
olarak, ışın litografi teknikleri (optik, x-ray, iyon ışın ya da elektron) ya
da yumuşak litografi teknikleri (baskı yapma, damgalama, kalıp ve kabartma
hazırlama) verilebilir [13, 14].
Günümüzde mikro elektronik
alanında en fazla kullanılan teknoloji olan optik litografi tekniği, bir
direncin maskelenerek fotokimyasal yolla kalıplanmasına ve ardından da maruz bırakılmış
bölgelerin kimyasal yolla oyulmasına dayanmaktadır. Optik litografinin,
ultraviyole dalga boyu olan gereçler kullanılarak, 100 nm’den de küçük olan
boyutlara da uygulanabileceği tahmin edilmektedir. Parça boyutlarının 50 nm ve
altına düşmesi için daha da gelişmiş litografi teknikleri geliştirilmeye
çalışılmaktadır [13,14]. Bu işlemler genelde soy atmosferde ya da vakum
ortamında gerçekleştirilir. Nano parçacıklar işlemlerden hemen sonra reaksiyona
girip yığılabilirler. Yukarıdan aşağıya yaklaşımına dayalı yöntemlerden
bazıları aşağıda daha ayrıntılı olarak verilmektedir [5, 75].
Mekanik Aşındırma
Mekanik öğütücülerle boyut
küçültme işleminin temelinde numuneye, öğütücü ortam ve numune arasındaki
çarpışmalar sonucu enerji uygulamasına dayanır.
Mekanik Aşındırma ile Parçacıkların
Küçültülmesi
Şekil 3.2’deki model
çarpışma modelini göstermektedir ve görüldüğü gibi parçacıklar iki çarpışan
bilye arasında kalmaktadır. Öğütücü ortamda yoğun toz bulutu, bilyeler ve toz
parçacıkları bulunmaktadır. Tozların bilyeler arasında sıkışmasında ilk aşama
yeniden düzenlenme ve yığın oluşturmadır. Parçacıkların birinden diğerine doğru
en az deformasyon ve kırılma ile kaymasıyla ince ve düzensiz parçacıklar
oluşur. Sıkışmanın ikinci aşamasında ise parçacıkların elastik ve plastik
deformasyona uğraması söz konusudur. Bu aşamada metalik sistemlerde soğuk
kaynama görülür. Üçüncü aşamada ise parçacıkların daha fazla deformasyona
uğraması yada parçalara ayrılmasıyla kırılmalar gözlenir [5, 76]. Öğütme işlemi
sonucunda meydana gelen tozlardan, çeşitli nano boyuttaki malzemeler oluşur.
Üretilen tozların içinden nano boyuttakileri ayırmak gerekir. Öğütme yöntemleri
ile 20 nm’ye kadar parçacıklar elde edilmektedir [8].
Elektro Patlama
Bu yöntemin temel prensibi, soy ya da reaktif gaz
ortamında, çok yüksek sıcaklıkta ve çok kısa zamanda, ince metal tel içinde çok
yüksek akım oluşturmaya dayanır. Bu şekilde tel plazma haline geçer ve çok
yüksek alanların oluşumuyla sıkışır. Çok yüksek akımların oluşmasıyla tel
20.000–30.000 °C dereceye ısınır ve bu sıcaklıklarda telin direnci neredeyse
sonsuz olur ve akımın akışı kesilir. Bu noktada elektromanyetik alan kaybolur
ve aşırı ısınmış metal plazma, süpersonik hızla genleşerek, etrafındaki iyonize
olmuş gaz ortamında şok dalgası oluşturur. 106–108 °C derece/saniye olan bu
hızlı soğuma, farklı yarı kararlı yapıların dengelenmesi için ideal koşulları
sağlar. Bu yöntemle, metal tellerden 100 nm boyutunda metalik tozlar elde
edilebilir. Elde edilen tozlarsadiğer yöntemlerle elde edilen tozlara kıyasla
daha büyük kimyasal ve metalürjik reaktiviteye sahiptir. Bunlara ek olarak iç
gerilimleri ve yüzey enerjileri daha fazladır ve böylece mikron altı küresel
yapılara dönüşebilirler. Tanecikli yapılara dönüştüklerinde ve geçiş
sıcaklığına ısıtıldıklarında, ısı vererek kendi kendilerine sinterlenebilirler
[5, 79, 80].
Dağlama
Bu yöntem özellikle
mikro-elektromekanik sistemlerde kullanılan başlıca yöntemlerden biridir. Düz
yüzeyler üzerinde dağlama yöntemiyle düzenli, nanometre boyutunda yapılar
oluşturulabilir. Maske kullanılmadan elektrokimyasal ve foto elektrokimyasal
dağlama yöntemiyle istenen nano boyutta yapılar elde edilebilir. Dağlamada
kuvvetli asitlerden faydalanılır. Örnek olarak, hidroflorik asit gibi asitler
elektrolit olarak kullanılarak, kristalin silikon levha üzerinde dağlama ile
gözenekli yapıda silikon tabakalar oluşturulabilir [80-82]. Kütle silikon
dağıtılması ve 1, 1.67, 2.15 ve 2.9 nm ebatlarına sentezlenmesi için
prosedürNayfeh tarafından geliştirilmiştir. Özellikle nano tıp, opto elektronik
ve elektronik alanları başta olmak üzere bu yöntemle üretilen nano parçacıklar
oldukça yaygın uygulama alanı bulmuştur [82-86].
Si esaslı nano tel üretiminde de elektrokimyasal
dağlama da kullanılmaktadır. Nano teller doğal olarak oluşmazlar, bir Si tabaka
üzerine Aunano parçacıklar yerleştirilirler ve bulundukları odacığa SiH4 gazı
gönderilir. Nano parçacık eriyene veya yumuşayana kadar tabaka ısıtılır. Doyuma
ulaşıldığında Si erir ve nano parçacıktan dışa doğru büyür. Tel boyu sialen
gazı kapatılarak veya diğer tarafa başka bir Si tabaka konarak ayarlanır.
Kimyasal dağlama işlemi Gümüş/HF banyosunda yapılır ve kalıntı gümüşler asit
içinde bekletme ile kaldırılır. Çapları birkaç nm den 200 nm’ye, boyları
onlarca μm’ye, birbirleri arasındaki ortalama boşluklar ~1m ve yoğunlukları ~
108 / cm2 olan nano teller elde edilmektedir [82].
Isıl Yöntem
Yukarıdan-aşağıya imalat
yöntemlerinde, ilaveten belirlenmiş sıcaklık değerleri uygulanırsa izlenen
yönteme ısıl yöntem denir. Buradaki ısıtma, klasik ısıl işlemler olup, lazerle
ısıtma gibi yüksek enerji yöntemlerini bu yöntemden ayırmak gerekir [8].
Dönen
soğuk yüzeyde katılaştırma yöntemi
Bu yöntemde ergitilen malzeme bir nozul vasıtasıyla
dönen soğuk bir yüzeye püskürtülür. Bu işlemde yüksek hızlarda püskürtme ile
malzeme küçük boyutlara inerken, dönen yüzeyde de ani soğuma ile katılaşma
meydana gelmiş olur. Yüzey üzerinde yoğunlaşan bu malzeme nano boyuttadır [7].
Asal Gaz Yoğunlaştırma Yöntemi
Asal gaz yoğunlaştırma yöntemi
esnekliği ve kontrollü bir şekilde malzeme üretimi sağlayabildiği için oldukça
popüler bir nano parçacık üretim yöntemidir. Yöntemin çalışma prensibi,
başlangıç malzemesinin temiz helyum atmosferinde buharlaştırılıp helyum atmosferinde
oluşan buharın soğutulmasına dayanır. Bu işlemi atomların yoğunlaşarak nano
parçacıklara dönüşmesi izler ve oluşan nano parçacıklar konveksiyonel taşınarak
toplayıcıda birikir. Konveksiyon akımları (soy gaz ile ısınan, soğuk parmak ile
soğuyan) yoğunlaşmış küçük parçacıkları toplama kabına taşır. Birikenler
kazınarak sıkıştırma cihazına gönderilir. Üretilen parçacıkların boyutu 1–100
nm arasındadır ve gaz basıncı ayarlanarak bu büyüklükler kontrol altına
alınabilir. Daha sonra toplanan parçacıklar istenirse sinterlenerek katı nano
malzeme elde edilir [8]. Sistem şematik olarak Şekil 3.3’te verilmiştir.
Sistemi ve ürünün karakteristik özelliklerini etkileyen başlıca parametreler
gaz basıncı, asal gazın tipi, sıcaklık ve gaz akış hızıdır [5, 91].
Şekil Şekilde görülen
sistemin çalışması şu şekildedir; öncelikle gereken buharlaşma sıcaklığı
kaynaktan karşılanır, tel formundaki malzeme dirençle ısıtılan ısıtma
kayıkçığına doğru beslenir. Kayıkçığa değen tel ergir ve buharlaşır. Buharlaşan
metal havalandırma kaynağından sisteme gönderilen taşıyıcı gaz yardımıyla
kaynaktan uzaklaştırılır. Genelde taşıyıcı gaz olarak diğer asal gazlara oranla
daha yüksek termal iletkenliğe sahip olduğundan dolayı helyum tercih edilir. Bu
teknikte tane büyüme süreci çekirdekleşme, koagülasyon ve aglomerasyon gibi üç
aşamadan meydana gelir. Bu aşamalar kaynaktan filtrelere kadar olan sistemin
farklı bölgelerinde görülür. Buharlaşmanın gerçekleşmesiyle birlikte sıcak
buharlaştırıcı üzerinde çekirdekleşme ve büyüme başlar.Daha sonra parçacıkların
çarpışması ve birleşmeleri sonucunda da iri taneler oluşur [5, 91, 93].
Alev sentezi
Alev sentezi diğer nano
parçacıkların üretim yöntemlerine kıyasla oldukça az enerjiye ihtiyaç duyar ve
üretim maliyeti oldukça düşüktür. Kullanılan yakıtın bir kısmı ısıtıcı kaynağı
olarak kullanılırken, artan kısmı reaktant olarak kullanılır. Aynı zamanda alev
sentezinde kullanılan reaktör diğer reaktör ve fırınlara göre geometrik olarak
çok yönlüdür. Sistem oldukça karışık bir kimyasal reaksiyon akısı
göstermektedir ve birçok parametrenin kontrol edilmesi gerekir. Bunlar
sıcaklık, kimyasal ortam ve zamandır [5, 94]. Bu parametrelerin kontrolünü
sağlamak için yakıtın cinsi ve oksidanın akış hızı değiştirilir. Parçacık
boyutu ise büyük oranda öncü çözeltisinin konsantrasyonuna bağlıdır. Çoklu
bileşen sistemleri üretilmek isteniyorsa çözeltiye farklı tuzlar eklenebilir
[5, 95]. Alev sentezinde kullanılan sistem sprey üretici, brülör, kuvars
reaktör, parçacık toplama filtreleri ve vakum pompasını içerir.
Yanma
Malzemenin özelliklerine göre
yanma işlemi gerçekleştirilirse nano boyutlarda malzeme imalatı
gerçekleştirilebilir. Örneğin karbon grafit uygun şartlarda yakılırsa, alevinde
tek ve çok duvarlı nano tüpler oluşur. Yanma yöntemi nanokompozit malzemelerdeki
çok duvarlı nano tüpleri oluşturmak için oldukça gelişmiş bir üretim yöntemidir
[8].
Yaş Kimyasal Sentez
Nano malzeme üretmek için
kullanılabilecek, jel-işleme ya da çöktürme metotları gibi, birkaç yaş kimyasal
yöntem mevcuttur. Bunlarda nano malzemeler, başlatıcı malzemelerin çözeltilerde
ya da kolloidlerde özel yöntemlerle işlenmesiyle elde edilmektedirler. Nano
malzemeler, kendine has özellikleri nano tozlar ya da nano kaplamalar elde
etmek üzere ayrıştırılabilir.[13,14].
Elektro-Patlama
Uzmanlara göre, bu yöntem
pahalı ve yavaştır ve yalnızca belirli malzemelerin (tel oluşturabilecek kadar
bükülgen olabilenler) kütlesel haline ve belli kullanım alanları için
uygulanabilir [13, 101]. Metalik teller oluşturabilen bu plazma yöntemi yüksek akımda
uygulanır, kısa zaman aralığı üretim ve yüksek sıcaklıklara ulaşma ile
gerçekleşir [104].
Lazer Ablasyonu
Katıların gaz veya vakum
altında lazer ablasyonuylanano parçacıkların oluşumu son yirmi yılda yaygın bir
şekilde incelenmektedir. Küme oluşumların mekanizmasının anlaşılması günümüzde
geniş olarak değişik bileşiklerin biriktirilmesinde kullanılan darbeli lazer
biriktirme (PLD) işleminin kontrolüne bağlıdır. Sıvı bir ortamda, lazer
ablasyonunun altında nano küme oluşumu çok daha az araştırılmıştır [105]. Bu
yöntem, pahalı bir donanımın kullanımını gerektirmektedir. Kimyasal yöntemlere
göre ise çöktürme hızı oldukça düşüktür. Genellikle, enerji dönüşümü
etkisizliği nedeniyle de pahalı bir yöntemdir [13, 101].
Sol-Jel
yöntemi
Sol-Jel yöntemi metal alkoksit
ve inorganik tuz gibi başlangıç çözeltilerin hidroliz ve yoğunlaşma
reaksiyonlarına dayanan bir yöntemdir. Sol-jel yönteminin oldukça pahalı ve
zahmetli olmasına karşın nano parçacık üretiminde tercih edilmesinde, bu
yöntemin üstün bazı avantajları büyük rol oynamaktadır. Bu avantajlar
minerallerden ve kimyasallardan, arzu edilen boyutta ve şekilde malzemelerin
kontrollü bir şekilde, moleküler göstergede homojen olarak, geliştirilmiş süreç
adımlarıyla üretilebilmesi şeklinde sıralanabilir. Ancak sistemin pahalı ve
zahmetli olmasının dışında en büyük dezavantajı, elde edilen ürün miktarının
giren ürüne göre çok küçük olması yani verimin çok az olmasıdır [5, 100, 106].
Sol-Jel yöntemiyle nano parçacık üretimi dışında yoğun malzemelerin, fiberlerin
üretiminde ve ince film yüzey kaplamalarında, toz, kaplama ve fiber üretiminde
de tercih edilmektedir [8].
Ultrasonik
Sprey Piroliz (USP) yöntemi
Toz üretim teknolojisi
açısından Ultrasonik Sprey Piroliz (USP) küresel ve aglomere olmamış, çok geniş
bir aralıkta değişen kimyasal bileşime, boyuta ve morfolojiye sahip nano
boyutlu parçacıkların üretilmesine imkân veren çok yönlü bir yöntemdir.
Yöntemde, yüksek safiyette metal tuzlarının veya ikincil hammaddelerin
temizlenmiş liç çözeltileri kullanılmaktadır [110, 111]. Süreç birbirinden
ayrık damlacıkların aerosol formunda başlangıç çözeltisinden oluşumunu, ısıl
parçalanmanın gerçekleşmesini ve faz değişiminin kontrolünüiçermektedir.
Aerosol, kullanılanyüksek frekans (100dalgasının gaz sıvı ara yüzeyine yönlendirilmesiyle
ultrasonik olarak kolaylıkla oluşturulabilir [110, 112].
Aerosol senteziyle farklı
parçacık morfolojisine sahip ürünler elde edilmiştir. Aerosol buharı yüksek
sıcaklık alanına (200°C üstü) girdiği zaman damlacığın buharlaşması/kuruması,
çökelmesi ve parçalanması damlacık seviyesinde gerçekleşir. Sprey piroliz
yönteminde muhtemelen parçacık morfolojisi üzerinde en önemli etkiye sahip ve
işlemin ilk adımını oluşturan buharlaşma sırasında çözücü buharının ve
çözünenin difüzyonu damlacık sıcaklığının değişmesiyle eş zamanlı
gerçekleşmektedir. Bu olay çözünen tuzların yüzey veya hacim çökelmesiyle katı
veya poroz parçacıkların oluşumuna sebep olmaktadır. Gerçekleşen bu olayların
hepsi damlacık içindeki ve damlacıkla bulunduğu çevre arasındaki ısı ve kütle
iletiminin öncülüğünde meydana gelmektedir. Bu sebeple oluşan parçacık boyutu
damlacık boyutuna, kullanılan başlangıç çözeltisinin özelliklerine, sıcaklık ve
süre gibi işlem parametrelerine bağlıdır.
kHz-10 MHz)ultrasonik
3. Diğer Üretim Yöntemleri
Burada örnek olarak
verilebilecek mikrodalga teknikleri enerji dönüşüm verimsizlikleri nedeniyle
pahalıdırlar. Diğer yöntemler ultrason teknikleri ve elektron biriktirme
süreçlerini içerirler. Bunların bilimsel olarak daha iyi anlaşılması, aşılması
gereken güçlükler halen çalışılmaktadır. Süper kritik akışkan (SKA) biriktirme
işlemi oldukça karmaşık bir işlemdir ve pahalı donanımın kullanımını
gerektirmektedir. Bazı uzmanlara göre, yüksek saflıktaki nano parçacıklar için
pazar talebi yeterli olduğunda, geliştirme ve iyileştirme sorunları, gelişmekte
olan teknik bilgiler kullanılarak çözülebilir [13, 111].
Bahsi geçen diğer üretim
teknikleri, sürekli üretime uyarlanabilecek olan üre ya da sitrik asit yoluyla
yakma işlemleri, katmanlı malzemelerin ayrışmayı ve amorf başlatıcılardan
kontrollü kristalleşmeyi içerir. Bazı uzmanlara göre sonuncu yöntem, amorf bir
matrise gömülmüş nano parçacıklar hazırlamak için oldukça uygundur. Ancak bu
teknik, sınırlı sayıdaki sistem bileşimleri (yüksek çekirdekleşme hızları ve
yavaş büyüme hızları olanlar) için uygundur [13,111].
TEŞEKKÜR
Yazarlar, Prof. Dr. M. H.
Nayfeh, University of Illinois at Urbana-Champaign’e ve TUBITAK 2219 proje
desteğine teşekkür ederler..
KAYNAKLAR
[1] Enderby, J. andDowling,
A.,Nanoscienceandnanotechnologies: OpportunitiesandUncertainties,
TheRoyalSociety&TheRoyal Academy of Engineering Report , London, 2004.
[2] Gençer Ö., Bakır ve Bakır
Oksit Nano Parçacıklarının Ultrasonik Sprey Piroliz (USP) Yöntemi ile Üretimi
,Yüksek Lisans Tezi , İ.T.Ü. Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul, 2009.
[3] Kulinowski, K., A Sencer
BackgrounderDraftForDıscussıon At SSI, Rice University, 2003.
[4] Ramsden J.,Nanotechnology:
An introduction, (ISBN: 978-0-08-096447-8) Elsevier, 2011.
[5] Yazıcı, E.,Ultrasonik sprey
piroliz tekniğiyle küresel gümüş nano-parçacıklarının üretimi, İ.T.Ü. Fen
bilimleri Enstitüsü yüksek lisans tezi, 2009.
[6] Lines
M.G.,NanomaterialsforPracticalFunctionalUses, Journal of AlloysandCompounds,
449, 242-245, 2008.
[7] Ates, H.,Nano Parçacıklar
ve Nano Teller. GU J SciPart:C , 3(1)(437-442), 2015.
[8] Nanoteknolojinedir.com,
http://nanoteknolojinedir.com/upload/files/201303190540Nanoteknoloj-ve-uygulamalari.pdf,
Erişim 2 Mayıs 2015.
[9] Doğan, G., Mikro Ve Nano
Hızlı Prototipleme, Yüksek Lisans Tezi, Y.T.Ü. Fen Bilimleri Enstitüsü,
İstanbul, 2007.
[10] Scenihr,
Theappropriateness of ExistingMethodologiestoAssessthePotentialRisksAssociatedwithEngineeredandAdventitiousProducts
of Nanotechnologies, CommitteeOpinion, 58-59, 2006.
[11] Kumar, V.,Nanosilicon,
ISBN: 978-0-08-044528-1, First Edition, 2007.
[12] Bhushan,
B.,TribologyIssuesandOpportunities in MEMS (Kluwer, Dordrecht 1998).
[13] Menceloğlu, Y. Z., Kırca,
M. B., Nanoteknoloji ve Türkiye, TÜSİAD, Yayın No -T/2008-11/474, Kasım 2008.
[14] Luther, W., International
StrategyandForesight Report on NanoscienceandNanotechnology,
March 2004.
[15] Jon, J. K., 2006:
FunctionalFillersandNanoscaleMinerals, ISBN 0873352475, 9780873352475, 33.
[16] Ahmed, W., Jackson, M.J.,
Hassan, I. U., Chapter 1 –
NanotechnologytoNanomanufacturingCarbonNanotubeReinforcedComposites, CNR
PolymerScienceandTechnology, Pages 1–36, 2015.
[17] Ganji, D. D.,Kachapi, S.
H. H., Chapter 1 – IntroductiontoNanotechnology, Nanomechanics, Micromechanics,
andNanofluid, Application of NonlinearSystems in NanomechanicsandNanofluids,
AnalyticalMethodsand Applications A volume in Micro andNano Technologies, Pages
1–11, 2015.
[18] Sanchez F, Sobolev,
K.,Nanotechnology in concrete – A reviewFlorence Construction
andBuildingMaterials 24, 2060–2071, 15 May 2010.
[19] NSTC,
TheNationalNanotechnologyInitiative – Strategic Plan, Executive Office of
thePresident of the United States; December 2007.
[20] Bushan B.,Handbook of
Nanotechnology, Third Edition, ISBN: 978-3-642-02524-2, 2010.
[21] Mao, Y.,Wong, S.S.,
General, Room-TemperatureMethodfortheSynthesis of Isolated as Well as Arrays of
Single-Crystalline ABO4-type Nanorods, J. Am. Chem. Soc. 126, 15245–15252,
2004.
[22] Braun, E.,Eichen, Y.,
Sivan, U., Ben-Yoseph, G., DNA templated Assembly andElectrodeAttachment of a
Conducting Silver Wire, Nature 391, 775–778, 1998
.
[23] Sauer, G.,Brehm, G.,
Schneider, S., Nielsch, K., Wehrspohn, R.B., Choi, J., Hofmeister, H., Gösele,
U., HighlyOrderedMonocrystalline Silver NanowireArrays, J. Appl. Phys. 91,
3243–3247, 2002.
[24] Hornyak, G. L.,Patrissi,
C. J., Martin, C.M., Fabrication, Characterizationand Optical Properties of
Gold Nanoparticle/PorousAluminaComposites: TheNonscatteringMaxwell–Garnett
Limit, J. Phys. Chem. B 101, 1548–1555, 1997.
[25] Zhang, X.Y.,Zhang, L.D.,
Lei, Y., Zhao, L.X., Mao, Y.Q., FabricationandCharacterization of HighlyOrderedAuNanowireArrays,
J. Mater. Chem. 11, 1732–1734, 2001.
[26] Cheng, Y. T.,Weiner, A.M.,
Wong, C.A., Balogh, M.P., Lukitsch, M.J., Stress-InducedGrowth of
BismuthNanowires, Appl. Phys. Lett. 81, 3248–3250, 2002.
[27] Heremans, J.,Thrush, C. M.,
Lin, Y.-M., Cronin, S., Zhang, Z., Dresselhaus, M.S., Mansfield, J. F.,
Bismuthnanowirearrays: Synthesis, galvanomagneticproperties, Phys. Rev. B 61,
2921–2930, 2000.
[28] Piraux, L.,Dubois, S.,
Duvail, J.L., Radulescu, A., Demoustier-Champagne, S., Ferain, E., Legras, R.,
FabricationandProperties of Organic, Metal Nanocylinders in
NanoporousMembranes, J. Mater. Res. 14, 3042–3050, 1999.
[29] Hong, K.,Yang, F.Y., Liu,
K., Reich, D.H., Searson, P.C., Chien, C.L., Balakirev, F.F., Boebinger, G.S.,
Giantpositivemagnetoresistance of Binanowirearrays in highmagneticfields, J.
Appl. Phys. 85, 6184–618
[30] Yin,
A.J.,Li, J., Jian, W., Bennett, A.J., Xu, J.M., Fabrication of
HighlyOrderedMetallicNanowireArraysbyElectrodeposition, Appl. Phys. Lett. 79,
1039–1041, 2001.
[31] Zhang,
Z.,Ying, J.Y., Dresselhaus, M.S., Bismuth Quantum-WireArraysFabricatedby a
VacuumMeltingandPressureInjectionProcess, J. Mater. Res. 13, 1745–1748, 1998.
[32] Zhang,
Z.,Gekhtman, D., Dresselhaus, M.S., Ying, J.Y., ProcessingandCharacterization
of Single-CrystallineUltrafineBismuthNanowires, Chem. Mater. 11, 1659– 1665,
1999.
[33] Huber,
T.E.,Graf, M.J., Constant, P., ProcessingandCharacterization of
High-ConductanceBismuthWireArrayComposites, J. Mater. Res. 15, 1816–1821, 2000.
[34] Li,
L.,Li, G., Zhang, Y., Yang, Y., Zhang, L., PulsedElectrodeposition of
Large-Area, Ordered Bi1−xSbx NanowireArraysFromAqueous Solutions,
J. Phys. Chem. B 108, 19380–19383, 2004.
[35] Sander,
M.S.,Prieto, A.L., Gronsky, R., Sands, T., Stacy, A.M., Fabrication of
High-Density, High AspectRatio,
Large-AreaBismuthteLlurideNanowireArraysbyElectrodepositionIntoPorousAnodicAlumina
Templates, Adv. Mater. 14, 665–667, 2002.
[36] Chen
M.,Xie, Y., Lu, J., Xiong, Y.J., Zhang, S.Y., Qian, Y.T., Liu, X.M., Synthesis
of Rod, Twinrod, andTetrapodshapedCdSNanocrystals Using a
HighlyOrientedSolvothermalRecrystallizationTechnique, J. Mater. Chem. 12,
748–753, 2002.
[37] Xu,
D.,Xu, Y., Chen, D., Guo, G., Gui, L., Tang, Y., Preparation of CdSSingle-CrystalNanowiresbyElectrochemicallyInducedDeposition,
Adv. Mater. 12, 520–522, 2000.
[38] Routkevitch, D.,Bigioni, T., Moskovits,
M., Xu, J.M., ElectrochemicalFabrication of CdSNanowireArrays in
PorousAnodicAluminumOxide Templates, J. Phys. Chem. 100, 14037–14047, 1996.
[39] Manna,
L.,Scher, E.C., Alivisatos, A.P., Synthesis of SolubleandProcessableRod, Arrow,
Teardrop, andTetrapod-ShapedCdSeNanocrystals, J. Am. Chem. Soc. 122,
12700–12706, 2000.
[40]
Routkevitch, D.,Tager, A.A., Haruyama, J., Al-Mawlawi, D., Moskovits, M., Xu,
J.M., NonlithographicNano-WireArrays: Fabrication, Physics, and Device
Applications, IEEE Trans. Electron. Dev. 43, 1646–1658, 1996.
[41] Xu
D.S.,Chen D.P., Xu Y.J., Shi X.S., Guo G.L., Gui L.L., Tang Y.Q.: Preparation of
II–VI groupsemiconductornanowirearraysby dc electrochemicaldeposition in
porousaluminumoxidetemplates, PureAppl. Chem. 72, 127–135 (2000).
[42] Adelung,
R.,Ernst, F., Scott, A., Tabib-Azar, M., Kipp, L., Skibowski, M.,
Hollensteiner, S., Spiecker, E., Jäger, W., Gunst, S., Klein, A., Jägermann,
W., Zaporojtchenko, V., Faupel, F., Self-AssembledNanowire Networks
byDeposition of CopperOntoLayered-CrystalSurfaces, Adv. Mater. 14, 1056–1061,
2002.
[43] Gao,
T.,Meng, G.W., Zhang, J., Wang, Y.W., Liang, C.H., Fan, J.C., Zhang, L.D.,
TemplateSynthesis of Singlecrystal Cu NanowireArraysbyElectrodeposition, Appl.
Phys. A 73, 251–254, 2001.
[44]
Al-Mawlawi, D.,Coombs, N., Moskovits, M.: Magneticproperties of Fe
DepositedIntoAnodicAluminumoxidePores as a Function of Particle-Size, J. Appl.
Phys. 70, 4421–4425, 1991.
[45] Li,
F.,Metzger, R.M., Activation Volume of α-Fe Particles in AlumiteFilms,
J. Appl. Phys. 81, 3806–3808, 1997.
[46] Sugawara,
A.,Coyle, T., Hembree, G.G., Scheinfein, M.R., Self-Organized Fe
NanowireArraysPreparedbyShadowDeposition on NaCl(110) Templates, Appl. Phys.
Lett. 70, 1043–1045, 1997.
[47] Cheng,
G.S.,Zhang, L.D., Zhu, Y., Fei, G.T., Li, L., Mo, C.M., Mao, Y.Q.,
Large-ScaleSynthesis of SingleCrystallineGalliumNitrideNanowires, Appl. Phys.
Lett. 75, 2455–2457, 1999.
[48] Cheng,
G.S.,Zhang, L.D., Chen, S.H., Li, Y., Li, L., Zhu, X.G., Zhu, Y., Fei, G.T.,
Mao, Y.Q., OrderedNanostructure of Single-CrystallineGaNNanowires in a
HoneycombStructure of AnodicAlumina, J. Mater. Res. 15, 347–350, 2000.
[49] Huang Y., Duan X., Cui Y.,
Lieber C.M., GalliumNitrideNanowireNanodevices, NanoLett. 2, 101–104,
2002.
[50] Duan X.,Lieber C.M.,
Laser-AssistedCatalyticGrowth of SingleCrystalGaNNanowires, J. Am. Chem. Soc.
122, 188–189, 2000.
[51] Berry A.D.,Tonucci R.J.,
Fatemi M., Fabrication of GaAs, InAsWires in NanochannelGlass, Appl. Phys.
Lett. 69, 2846–2848, 1996.
[52] Heath, J.R.,LeGoues, F.K.,
A Liquid Solution Synthesis of Single-CrystalGermanium Quantum Wires, Chem.
Phys. Lett. 208, 263–268, 1993.
[53] Wu, Y.,Yang, P.,
GermaniumNanowireGrowthVia Simple Vapor Transport, Chem. Mater. 12, 605–607,
2000
.
[54] Zhang, Y.F.,Tang, Y.H.,
Wang, N., Lee, C.S., Bello, I., Lee, S.T., GermaniumNanowiresSheathedWith an
OxideLayer, Phys. Rev. B 61, 4518–4521, 2000.
[55] May, S.J.,Zheng, J.G.,
Wessels, B.W., Lauhon, L.J., DendriticNanowireGrowthMediatedbyaSelfassembledCatalyst,
Adv. Mater. 17, 598–602, 2005.
[56] Han, S.,Li, C., Liu, Z.,
Lei, B., Zhang, D., Jin, W., Liu, X., Tang, T., Zhou, C., Transition Metal
OxideCore-Shell Nanowires: GenericSynthesisand Transport Studies, NanoLett. 4,
1241–1246, 2004.
[57] Zach, M.P.,Ng, K.H.,
Penner, R.M., MolybdenumNanowiresbyElectrodeposition, Science 290, 2120–2123,
2000.
[58] Sun, L.,Searson, P.C.,
Chien, L., ElectrochemicalDeposition of NickelNanowireArrays in
Single-CrystalMicaFilms, Appl. Phys. Lett. 74, 2803–2805, 1999.
[59] Nielsch, K.,Wehrspohn, R.,
Fischer, S., Kronmüller, H., Barthel, J., Kirschner, J., Gösele, U., MagneticProperties
of 100 nmNickelNanowireArraysObtainedfromOrderedPorousAlumina Templates, MRS
Symp. Proc. 636, D1.9–1–D1.9–6, 2001.
[60] Wang, Y.,Jiang, X.,
Herricks, T., Xia, Y., SingleCrystallineNanowires of Lead:
Large-ScaleSynthesis, MechanisticStudiesand Transport Measurements, J. Phys.
Chem. B 108, 8631–8640…
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder